2019年9月20日，合肥長(zhǎng)鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，他們成為第一個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存供應(yīng)商。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對(duì)外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。

關(guān)于長(zhǎng)鑫的DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組我們之前有過詳細(xì)介紹，現(xiàn)在對(duì)他們來說最大的問題還是產(chǎn)能。

長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)內(nèi)存項(xiàng)目有三期，第一期投資約為72億美元，預(yù)計(jì)產(chǎn)能就有12.5萬片晶圓/月，這個(gè)產(chǎn)能跟SK海力士在無錫投資的內(nèi)存工廠差不多規(guī)模，能占到全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的10%。

不過此前消息稱當(dāng)前的產(chǎn)能還只有2萬片晶圓/月，對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)不會(huì)有什么影響，預(yù)計(jì)今年底擴(kuò)展到4萬片晶圓/月，這個(gè)產(chǎn)能大概能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%了。

在內(nèi)存方面，三星是全球第一大內(nèi)存供應(yīng)商，份額能占到45%左右，產(chǎn)能規(guī)模是國(guó)產(chǎn)公司的十幾二十倍之多，差距還很遙遠(yuǎn)。

當(dāng)然，除了產(chǎn)能上的差距之外，技術(shù)上的差距也是個(gè)問題，長(zhǎng)鑫的內(nèi)存還是19nm工藝，三星已經(jīng)發(fā)展到了1Znm工藝，領(lǐng)先兩三代左右。

在2019年9月份的GSA+Memory存儲(chǔ)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)兼CEO朱一明發(fā)表了《中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)。

長(zhǎng)鑫公司在此基礎(chǔ)上將奇夢(mèng)達(dá)46nm工藝的內(nèi)存改進(jìn)，研發(fā)出了10nm級(jí)的自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。

2019年9月21日，在2019世界制造業(yè)大會(huì)上，合肥市政府與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司、華僑城集團(tuán)有限公司、北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司等就合肥長(zhǎng)鑫集成電路制造基地項(xiàng)目簽約。

合肥長(zhǎng)鑫集成電路制造基地項(xiàng)目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，占地面積約15.2平方公里，由長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園和合肥空港國(guó)際小鎮(zhèn)三個(gè)片區(qū)組成。

其中長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目總投資1500億元;空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園總投資超過200億元，位于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目以西;合肥空港國(guó)際小鎮(zhèn)總投資約500億元，規(guī)劃面積9.2平方公里，總建筑面積420萬平方米，位于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目以北。

制造基地全部建成后，預(yù)計(jì)可形成產(chǎn)值規(guī)模超2000億元，集聚上下游龍頭企業(yè)超200家，吸引各類人才超20萬人。

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