12月13日消息，據(jù)外媒報道，三星電子公司擬將在中國芯片工廠的投資增加到80億美元，以提高NAND閃存芯片產(chǎn)量。

三星增加投資正值內(nèi)存芯片價格有望于明年反彈之際，由于供應(yīng)有限，市場對5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的需求也在不斷上升。三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這類芯片可以可用于移動設(shè)備、存儲卡、U盤和固態(tài)硬盤中。

2017年，三星宣布將在三年內(nèi)向位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元。在這些投資進行之前，該公司曾向西安的一家測試和包裝工廠投資108億美元。三星對此拒絕置評。

三星在NAND閃存領(lǐng)域的競爭對手包括韓國SK海力士(SK Hynix)和美國美光科技(Micron Technology)以及日本東芝，幾家中國企業(yè)也正試圖進入內(nèi)存領(lǐng)域，但它們至今尚未取得太大成功，還不足以與這些巨頭競爭。

今年秋季，長江存儲科技有限責任公司(YMTC)宣布，將開始大規(guī)模生產(chǎn)64層3D NAND芯片，這是多數(shù)領(lǐng)先行業(yè)企業(yè)遵循的基準。

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